Patent
Patent of Shigeto R. Nishitani
Year 2013
- No. 3 単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
- (特願2007-077256，特許第５２１３０９５号), (発明者)金子忠昭，西谷滋人，特許権者 学校法人関西学院，March 8 2013.
- No. 2 単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
- (特願2007-077439，特許第５２１３０９６号), (発明者)金子忠昭，西谷滋人，特許権者 学校法人関西学院，March 8 2013.
- No.1 TiAlの圧延加工法
- 1989年出願 特許番号1946422 山口正治，西谷滋人，中村敦
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References:[Prof. Shigeto R. Nishitani]