学歴
- 1979年3月 同志社高校卒業
- 1979年4月 京都大学工学部金属系学科入学
- 1983年3月 京都大学工学部金属加工学科卒業(工学士)
- 1983年4月 京都大学大学院工学研究科金属加工学専攻修士課程入学
- 1985年3月 京都大学大学院工学研究科金属加工学専攻修士課程修了(工学修士)
- 題目：Fe-C, Co-C, Ni-C系の急冷凝固による準安定平衡状態図の検討
- 1985年4月 京都大学大学院工学研究科金属加工学専攻博士課程入学
- 1988年3月 京都大学大学院工学研究科金属加工学専攻博士課程単位取得満期退学
- 1988年7月 工学博士学位取得（京都大学）
- 題目：Formation and Growth Mechanism of Quasicrytals
職歴
- 1988年4月 京都大学工学部助手
- 2000年10月 京都大学工学研究科助教授
- 2004年4月 関西学院大学理工学部教授
研究歴
- 1987年 ４月 日本学術振興会特別研究員に採用（1988年3月まで）
- 1988年 ４月 京都大学工学部助手（1995年5月まで）
- 1991年１２月 英国へ海外研修旅行（インペリアルカレッジ数学部招聘研究員，1992年10月まで）
- 1992年１０月 英国へ海外研修旅行（オックスフォード大学材料学部招聘研究員，1992年12月まで）
- 1993年 ２月 英国へ海外研修旅行（オックスフォード大学材料学部招聘研究員，1993年4月まで）
- 1995年 ６月 工学部改組に伴い京都大学大学院工学研究科助手（現在に至る）
学会活動
- 1984年8月 日本金属学会会員(現在に至る)
- 1993年7月 日本物理学会会員(現在に至る)
- 1994年12月 ポテンシャル研究会会員
- 1995年3月 ポテンシャル研究会ニュース編集長(1996年3月まで)
- 1996年6月 レーザー学会第17回年次大会実行委員(1997年3月まで)
- 1996年7月 DV-Xα研究協会会員
- 2000年1月 米国Materials Research Society会員(現在に至る)
- 2000年4月 日本金属学会関西支部幹事(2001年3月)
- 2015年4月 日本物理学会代議員(2019年3月まで)
- 2017年4月 日本物理学会領域10領域副代表(2018年3月まで)
- 2018年4月 日本物理学会領域10領域代表(2019年3月まで)
賞罰
- 1991年10月 第一回日本金属学会奨励賞（材料加工部門）
研究内容
- 1988年4月 京都大学工学部助手(1995年5月まで)
- 非平衡プロセスによる材料開発，金属間化合物TiAlの組織形成
- "Deformation of Polysynthetically Twinned Crystals of TiAl with a Nearly Stoichiometric Composition",T.Fujiwara, A.Nakamura, M.Hosomi, S.R.Nishitani, Y.Shirai and M.Yamaguchi, Phil. Mag. A 61, No.4(1990), 591-606.
- 1991年12月 英国へ海外研修(インペリアルカレッジ数学部招聘研究員，1992年10月まで，オックスフォード大学材料学部招聘研究員，1993年4月まで，1992年１２月からよく２月まで一時帰国)
- D.G.Pettiforとともに新しい原子間相互作用ポテンシャルを開発
- "Angularly dependent embedding potentials", S.R.Nishitani, P.Alinaghian, C.Hausleitner, and D.G.Pettifor, Phil. Mag. Letters 69, No.4(1994), 177-184.
- 1995年6月 工学部改組にともない京都大学大学院工学研究科助手
- 2000年10月 京都大学大学院工学研究科助教授
- 核生成の第一原理計算
- バルク中でのナノサイズ熱力学と相安定性,西谷滋人，まてりあ,46巻3号(2007), 創立70周年記念特集「材料科学の課題と展望~ナノマテリアル・環境材料を中心として~」pp.216-219.
- 2004年4月 関西学院大学理工学部教授(現在に至る)
- SiCの準安定溶媒プロセスの原理解明
- Metastable Solvent Epitaxy of SiC, Shigeto R. Nishitani and Tadaaki Kaneko, J. Crystal Growth, Vol 310/7-9 (2008), pp 1815-1818.
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References:[Prof. Shigeto R. Nishitani]