CV_Japanese

  1. 1984年
  2. 1988年4月 京都大学工学部助手(1995年5月まで)
    • 非平衡プロセスによる材料開発,金属間化合物TiAlの組織形成
    • "Deformation of Polysynthetically Twinned Crystals of TiAl with a Nearly Stoichiometric Composition",T.Fujiwara, A.Nakamura, M.Hosomi, S.R.Nishitani, Y.Shirai and M.Yamaguchi, Phil. Mag. A 61, No.4(1990), 591-606.
  3. 1991年12月 英国へ海外研修(インペリアルカレッジ数学部招聘研究員,1992年10月まで,オックスフォード大学材料学部招聘研究員,1993年4月まで,1992年12月からよく2月まで一時帰国)
    • D.G.Pettiforとともに新しい原子間相互作用ポテンシャルを開発
    • "Angularly dependent embedding potentials", S.R.Nishitani, P.Alinaghian, C.Hausleitner, and D.G.Pettifor, Phil. Mag. Letters 69, No.4(1994), 177-184.
  4. 1995年6月 工学部改組にともない京都大学大学院工学研究科助手
  5. 2000年10月 京都大学大学院工学研究科助教授
    • 核生成の第一原理計算
    • バルク中でのナノサイズ熱力学と相安定性,西谷滋人,まてりあ,46巻3号(2007), 創立70周年記念特集「材料科学の課題と展望~ナノマテリアル・環境材料を中心として~」pp.216-219.
  6. 2004年4月 関西学院大学理工学部教授(現在に至る)
    • SiCの準安定溶媒プロセスの原理解明
    • Metastable Solvent Epitaxy of SiC, Shigeto R. Nishitani and Tadaaki Kaneko, J. Crystal Growth, Vol 310/7-9 (2008), pp 1815-1818.
Last modified:2017/09/21 08:48:07
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References:[Prof. Shigeto R. Nishitani]